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科学研究
研究领域
科研方向主要结合半导体工艺开展二维材料的纳米结构制备与微纳工艺开发研究，在六方氮化硼与碳化硅等绝缘衬底表面实现石墨烯及其纳米结构的制备与性能表征工作，并取得多项重要研究成果。期间在Nature Materials、Nature Communications和Science Advances等杂志发表重要成果。实验室现有设备包括高温管式炉、紫外曝光光刻机、Bruker台阶仪、电子枪蒸发式镀膜仪、磁控溅射仪、光学显微镜及光学表征系统等。
论文成果
- Shi, Danni,Sun, Hongyu,Zhang, Xiaonan,陈令修,贾传磊,薛晓兰,余悦,张洋,石礼伟.Transverse spin transport in intrinsic GaAs-based multiple quantum wells,2026,卷: 113期: 24
- 陈令修,王慧山,孔自强,Changwei Zhai,王秀君,Yibo Wang,刘正太,姜程鑫,陈晨,沈大伟,Xipin Chen,Yuxuan Zhu,Wenzhong Bao,Zhenyu Yang,Yunfeng Lu,王浩敏.Gaseous Catalyst Assisted Growth of Graphene on Silicon Carbide for Quantum Hall Resistance Standard Device,2023,v 8,n 2,
- Ge, Yang,陈令修,姜程鑫,Jianlong Ji,Qiuyun Tan,Douxing Pan,Wendong Zhang,Riguang Zhang,Eli Janzan,Jams H Edgar,桑胜波,王浩敏.Edge magnetism of triangular graphene nanoflakes embedded in hexagonal boron nitride,2023,v 203,p59-67
- 陈令修,孙清旭,孙宏宇,邬俊源,姜程鑫,张洋,石礼伟,王浩敏.Plasma-induced defects as nucleation sites for graphene on hexagonal boron nitride,2025,Volume 679
- 陈令修,王德和,孙清旭,邬俊源,孙宏宇,张洋,石礼伟.Effect of hydrogen on graphene growth on SiC(0001) under atmospheric pressure,2025,卷: 165
专利
- 暂无内容
著作成果
- 暂无内容