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论文成果
Gaseous Catalyst Assisted Growth of Graphene on Silicon Carbide for Quantum Hall Resistance Standard Device
- 发布时间：2026-10-27
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- DOI码：10.1002/admt.202201127
- 所属单位：材料与物理学院
- 项目来源：自选课题
- 第一作者：陈令修
- 合写作者：王慧山,孔自强,Changwei Zhai,王秀君,Yibo Wang,刘正太,姜程鑫,陈晨,沈大伟,Xipin Chen,Yuxuan Zhu,Wenzhong Bao,Zhenyu Yang,Yunfeng Lu,王浩敏
- 论文类型：期刊论文
- 卷号：v 8,n 2,
- 是否译文：否
- 发表时间：2023-01-24