Profile

主要从事低维自旋电子材料与器件相关研究，探索低维自旋电子材料及其异质结晶格、自旋、电荷及轨道相互关联的物理效应及其在磁存储和磁逻辑方面的应用，构筑实用型低维自旋电子器件。在Phys. Rev. Applied, Phys. Rev. B(3篇), J. Mater. Chem. C, Nanotechnology, Phys. Chem. Chem. Phys., Appl. Surf. Sci.(3篇), J. Alloys Compd., J. Mater. Sci.(2篇), J. Magn. Magn. Mater., EPL(3篇), J. Appl. Phys.(4篇), Semicond. Sci. Technol., Physica E, Vacuum(9篇), Phys. Lett. A, Superlattices Microstruct., Thin Solid Films, Chem. Phys., Eur. Phys. J. B(2篇), J. Cryst. Growth(4篇), Solid State Commun.(4篇), Phys. Status Solidi (b), Surf. Interface Anal., Physica B(2篇)和AIP Adv.国际学术期刊发表51篇第一(通讯)作者SCI论文，在Phys. Rev. Lett.(3篇), Phys. Rev. B(11篇), Appl. Phys. Lett., Commun. Nonlinear Sci. Numer. Simul., J. Phys. Chem. C, J. Phys. D: Appl. Phys., J. Phys.: Condens. Matter, Semicond. Sci. Technol., Mater. Chem. Phys., Chin. Phys. B, Surf. Sci.和RSC adv.(2篇)国际学术期刊合作发表25篇SCI论文，出版专著《高介电常数氧化物绝缘栅MOSFET数值研究》。取得了一系列创新成果：①理论拓展了本征室温铁磁半导体体系，指出静电掺杂是提高居里温度和电导率的一种有效策略。②基于密度泛函理论和玻尔兹曼输运理论，构筑了室温范德瓦尔斯自旋阀和双栅自旋电子场效应管原型器件。③提出结合第一性原理和自洽求解薛定谔-泊松方程组的方法研究范德瓦尔斯异质界面电荷性质。主持结题国家自然科学基金理论物理专款 “合作研修项目” 一项，国家自然科学基金理论物理专款 “博士研究人员启动项目”一项。承担本科生的《低维自旋电子学》、《低维自旋电子材料与器件》、《储能材料与制备技术》、《大学物理》和《大学物理实验》等课程。

一、科研与学术工作经历

2010.6-            中国矿业大学材料与物理学院教师。

2015.9-2016.7     南京大学物理学院访问学者。

2017.3-2018.3     The University of Sydney物理学院访问学者。

二、主持科研/教学项目

13. 2022.7-2024.6 材料与物理学院物理学科开放课题(2022WLXK02):低维自旋电子材料与器件的理论研究，5万。

12. 2020.1-2022.12 中国矿业大学重大项目培育专项(面上)(2020ZDPYMS28):氮化物基范德瓦尔斯异质结构材料与器件，15万。

11. 2018.6-2020.5 南京大学固体微结构物理国家重点实验室开放课题(M31001)：MOS-HEMT器件界面能带工程研究，2万。

10. 2017.1-2019.12 中国矿业大学学科前沿科学研究专项(2017XKQY092)：高K氧化物绝缘栅MOS-HEMT器件的理论研究，20万。

9. 2014.1-2016.12 国家自然科学基金理论物理专款“合作研修项目” (11347016)：氮化铟基半导体异质生长和掺杂的数值模拟研究，20万。

8. 2014.1-2016.12 中国矿业大学青年科技基金(2014QNA65)：半导体/钙钛矿氧化物异质表面与界面数值模拟研究，10万。

7. 2012.1-2012.12 国家自然科学基金理论物理专款 “博士研究人员启动项目” (11147126)：Ⅲ族氮化物半导体/钙钛矿氧化物异质界面微结构与物性研究，5万。

6. 2012.1-2013.12 南京大学固体微结构物理国家重点实验室开放课题(M25010)：绝缘氧化物/半导体氮化物异质界面微结构与物性，2万。

5. 2010.9-2013.12 中国矿业大学青年科技基金(2010QNA35)：半导体氮化铟的掺杂研究，6.5万。

4. 2010.9-2012.8 中国矿业大学“启航计划”，半导体氮化铟掺杂的理论研究，3万。

3. 2010.7-2020.12 中国矿业大学“人才引进”科研启动基金，CdS/CdTe太阳能电池中界面S扩散影响，8万。

2. 2020.7-2021.7 中国矿业大学教学研究项目：江苏省特色专业应用物理学前沿课程《低维自旋电子学》建设及教学示范(2020YB60)，1.0万。

1. 2013.6-2014.7 中国矿业大学教学改革与建设项目：双语教学示范课程《储能材料与制备技术》的课程建设的研究与实践(2013Y39)，0.4万。

三、发表科研论文 ( ORCID: https://orcid.org/0000-0002-5137-6855 ; Scopus Author ID: https://www.scopus.com/authid/detail.uri?authorId=55883396400 Web of Science ResearcherID https://publons.com/researcher/4585251/ )

76. Dingwen Zhang(张丁文, 20级本科生), Meng Su, Jingwen Zhang, Haoshen Ye, and Jianli Wang^(*), Two-dimensional HfCr₂N₄ semiconductor with intrinsic room-temperature ferromagnetism and enhanced conductivity via electrostatic doping, Appl. Surf. Sci. 653, 159128 (2024).

75. Liwei Han(韩立伟), Zeyi Zhang, Haoshen Ye, Leiming Chen, and Jianli Wang^(*), Controllable magnetic anisotropy and conductivity in ScCrSe₃ monolayer driven by electrostatic doping, J. Alloys Compd. 972, 172844 (2024).

74. Yuekun Niu^(*), Yu Ni, Jianli Wang, Leiming Chen, Ye Xing, Yun Song^(*), and Shiping Feng^(*), Quantitative determination of the critical points of Mott metal–insulator transition in strongly correlated systems, Chin. Phys. B 33 (1), 017102 (2024).

73. Yijie Zhu(朱怡杰, 18级本科生), Meng Su, Haoshen Ye, Dongmei Bai, and Jianli Wang^(*), Interface and transport properties of InN/VSi₂P₄ van der Waals magnetic heterostructures, Phys. Rev. B 108 (12), 125413-1-10 (2023).

72. Mengjie Wei(魏梦杰, 18级本科生), Haoran Ma, Haoshen Ye, Jianli Wang^(*), and Dongmei Bai^(*), Magnetic and transport properties of two-dimensional ferromagnet VSe₂ with Se vacancies, J. Magn. Magn. Mater. 574, 170683 (2023). 

71. Jie Sun(孙杰), Zheng Tan, Haoshen Ye, Dongmei Bai^(*), and Jianli Wang^(*), Enhanced Curie temperature and conductivity of van der Waals ferromagnet MgV₂S₄ via electrostatic doping, Phys. Chem. Chem. Phys., 25 (7), 5878–5884 (2023).

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69. Haoshen Ye(叶浩燊), Lisha Liu, Dongmei Bai, G. P. Zhang, Junting Zhang, and Jianli Wang^(*), Room-temperature spin valve effect in TiCr₂N₄ monolayer, J. Mater. Chem. C, 10 (34), 12422–12427 (2022).

68. Yijie Zhu(朱怡杰, 18级本科生), Dingwen Zhang, Haoshen Ye, Dongmei Bai, Ming Li, G. P. Zhang, Junting Zhang, and Jianli Wang^(*), Magnetic and electronic properties of AlN/VSe₂ van der Waals heterostructures from combined first-principles and Schrödinger-Poisson simulations, Phys. Rev. Applied, 18 (2), 024012-1-10 (2022).

67. Jie Sun(孙杰), Fanxian Pei, Dongmei Bai^(*), Junting Zhang, and Jianli Wang^(*), Room temperature ferromagnetism and transport properties in InN/VTe₂ van der Waals heterostructures, Appl. Surf. Sci. 598, 153781-1-8 (2022).

66. Junting Zhang^(*), Ying Zhou, Fan Wang, Xiaofan Shen, Jianli Wang, and Xiaomei Lu^(*), Coexistence and Coupling of Spin-Induced Ferroelectricity and Ferromagnetism in Perovskites, Phys. Rev. Lett. 129 (11), 117603-1-6 (2022).

65. Haoshen Ye(叶浩燊), Xiao Wang, Dongmei Bai, Junting Zhang, Xiaoshan Wu, G. P. Zhang, and Jianli Wang^(*), Significant enhancement of magnetic anisotropy and conductivity in GaN/CrI₃ van der Waals heterostructures via electrostatic doping, Phys. Rev. B 104 (7), 075433-1-8 (2021).

64. Haoshen Ye(叶浩燊), Yijie Zhu, Dongmei Bai, Junting Zhang, Xiaoshan Wu, and Jianli Wang^(*), Spin valve effect in VN/GaN/VN van derWaals heterostructures, Phys. Rev. B 103 (3), 035423-1-8 (2021).

63. Haohao Sheng(盛昊昊, 17级本科生), Haoxiang Long, Guanzhen Zou, Dongmei Bai^(*), Junting Zhang, and Jianli Wang^(*), Magnetic and phonon transport properties of two-dimensional room-temperature ferromagnet VSe₂, J. Mater. Sci. 56 (28), 15844–15858 (2021)

62. X.F. Shen, Q.Y. Luo, Z.S. Wu, Y. Zhou, J.L. Wang, J.T. Zhang^(*), J. Su^(*), and X.M. Lu, Magnetoelectric coupling dependent on ferroelectric switching paths in two-dimensional perovskite multiferroics, Phys. Rev. B 103 (22), L220406 (2021).

61. Y. Zhou, Z.F. Chen, Z.S. Wu, X.F. Shen, J.L. Wang, J.T. Zhang^(*), and H. Sun^(*), Hybrid improper ferroelectricity and magnetoelectric coupling in a two-dimensional perovskite oxide, Phys. Rev. B 103 (22), 224409 (2021).

60. Mengmeng Xue(薛萌萌), Mengjie Wei, Haohao Sheng, Dongmei Bai^(*), and Jianli Wang^(*), Tunable electronic properties of silicene based heterojunctions with ultrathin high-к La₂O₃ gate dielectric, Superlattices Microstruct., 147, 106686-1-9 (2020).

59. Haohao Sheng(盛昊昊, 17级本科生), Yijie Zhu, Dongmei Bai^(*), Xiaoshan Wu, and Jianli Wang^(*), Thermoelectric properties of two-dimensional magnet CrI₃, Nanotechnology, 31 (31), 315713-1-9 (2020).

58. Haoshen Ye(叶浩燊), Haohao Sheng, Dongmei Bai^(*), Junting Zhang, and Jianli Wang^(*), Strain and electric field tuned electronic properties of BAs/MoSe₂ van der Waals heterostructures for alternative electrodes and photovoltaic cell in photocatalysis, Physica E, 120, 114055-1-6 (2020).

57. Xinfeng Chen(陈新锋), Haohao Sheng, Jianli Wang^(*), Gang Tang, Junting Zhang, and Dongmei Bai^(*), Electronic and optical properties tuned by strain and external electric field of g-ZnO/2H-TiS₂ van der Waals heterostructures, Vacuum, 174, 109232-1-8 (2020).

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52. Jiangtao Liu(刘江涛), Hao Liu, Aixia Zhang, Jianli Wang^(*), Gang Tang, Junting Zhang, and Dongmei Bai^(*), Strain dependent electronic structure and optical properties tuning of InN/PtX₂ (X=S, Se) van der Waals heterostructures, Vacuum, 168, 108805-1-8 (2019).

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44. Dongmei Bai, Hao Liu, Aixia Zhang, Jianli Wang^(*), Gang Tang, Junting Zhang, and C. Stampfl^(*), Effect of an Al-adlayer in the c-plane ZnO/AlN heterostructure, EPL, 122 (2), 26003-1-6 (2018).

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2. X.Q Dai^(*), H.J. Yan, Jianli Wang, Y.M. Liu, Z.X. Yang, and M H Xie, The effect of Cu on O adsorption on a ZnO(0001) surface: a first-principles study, J. Phys.: Condens. Matter, 20 (9), 095002-1-4 (2008).

1. X.Q Dai^(*), Jianli Wang, H.J. Yan, X.H. Wu, and M.H. Xie, Structural properties of oxygen on InN(0001) surface, Surf. Sci. 601 (10), 2161-2165 (2007).

四、出版书籍

王建利、白冬梅著，《高介电常数氧化物绝缘栅MOSFET数值研究》，中国矿业大学出版社，2020年。

五、发表教学论文

1. 王建利, 唐刚, “储能材料与制备技术”课程建设的改革与实践,《学园》，1, 27-28 (2014)。

2. 王建利, 白冬梅^(*), 低维自旋电子学课程建设的探索与实践,《电子世界》，602, 32-33 (2020)。

六、获奖情况

中国矿业大学理学院2010年度院级优秀班主任。

中国矿业大学2011年度优秀班主任。

中国矿业大学2012届本科毕业设计(论文)优秀指导教师。

中国矿业大学2012年度优秀班主任。

江苏省2017年高校第十四届大学生物理及实验科技作品创新竞赛优秀指导教师。

中国矿业大学2018年度教职工考核优秀。

中国矿业大学2019年第六届“大学生物理学术竞赛”最佳指导教师。

中国矿业大学2019届本科毕业设计(论文)优秀指导教师。

中国矿业大学2019年度教职工考核优秀。

中国矿业大学2020届校级优秀毕业设计（论文）指导教师。

中国矿业大学2020年度教职工考核优秀。

中国矿业大学2018-2021年度优秀共产党员。

中国矿业大学2020-2021年度教书育人先进个人。

中国矿业大学2020-2021学年度班主任考核优秀。

中国矿业大学2021年度教职工考核优秀。

中国矿业大学2021年促进就业先进个人。

中国矿业大学2021年优秀创新创业指导教师。

七、培养研究生

蒲 龙：2014级研究生，国家奖学金，高校辅导员。

袁梦奇：2015级研究生，优秀创新硕士奖学金，江苏省高校第十四届大学生物理及实验科技作品创新竞赛二等奖，苏州光电企业。

刘江涛：2017级研究生，国家奖学金，优秀创新硕士奖学金，南京高级中学。

陈新锋：2017级研究生，在国际期刊发表第一作者SCI论文2篇，西安交通大学读博。

薛萌萌：2018级研究生，在国际期刊发表第一作者SCI论文1篇，淮阴高级中学。

叶浩燊：2019级研究生，国家奖学金，平煤神马奖学金，主持江苏省研究生科研与实践创新计划项目，东南大学读博。

孙 杰：2020级研究生，在国际期刊发表第一作者SCI论文2篇，无锡微电子企业。

八、指导本科生

王陈翔：2012级本科生，保送南京大学物理学院研究生，校级优秀本科毕业论文，发表第一作者单位SCI论文1篇。

韩宇佳：2014级本科生，保送中国科学院大连化学物理研究所研究生。

胡景森：2015级本科生，保送中国科学院光电研究院研究生，校级优秀本科毕业论文。

刘  昊：2016级本科生，保送复旦大学物理学系研究生，主持国家级大学生创新训练计划项目一项。

盛昊昊：2017级本科生，保送中国科学院物理研究所研究生，主持省级大学生创新训练计划项目一项，发表第一作者单位SCI论文2篇。

朱怡杰：2018级本科生，保送南京大学物理学院研究生，主持国家级大学生创新训练计划项目一项，发表第一作者单位SCI论文2篇。

魏梦杰：2018级本科生，保送中国科学技术大学物理学院研究生，共同主持国家级大学生创新训练计划项目一项，发表第一作者单位SCI论文1篇。

龙昊翔：2018级本科生，保送南京大学物理学院研究生，主持校级大学生创新训练计划项目一项。

邹官朕：2018级本科生，保送北京理工大学物理学院研究生，主持校级大学生创新训练计划项目一项。

裴凡衔：2019级本科生，保送北京理工大学物理学院研究生，主持校级大学生创新训练计划项目一项。

张丁文：2020级本科生，保送南京大学物理学院研究生，主持校级大学生创新训练计划项目一项，发表第一作者单位SCI论文1篇。

刘丽莎：2020级本科生，保送中国科学院微电子研究所研究生。

谭  政：2020级本科生，保送大连理工大学物理学院研究生。

马浩然：2020级本科生，保送东南大学物理学院研究生，主持省级大学生创新训练计划项目一项。

苏  梦：2021级本科生，共同主持国家级大学生创新训练计划项目一项。

张静雯：2021级本科生，主持校级大学生创新训练计划项目一项。

张泽一：2021级本科生，主持国家级大学生创新训练计划项目一项。

九、研究平台

拥有高性能计算集群以及VASP(自旋耦合版本), 声子软件(phono3py, ShengBTE, BoltzTraP), MS, Matlab等并行计算软件。

十、招生计划

欢迎物理学、光学、微电子专业的同学报考硕士研究生。每年计划招收1-2名具有团队协作精神和科研理想、善于独立思考、勤奋努力的硕士研究生，同时每年招收2-3名成绩优异本科生进行科研训练。

Educational Experience

Work Experience

• 2010.6 to Now

  材料与物理学院 | 副教授

Social Affiliations

Research Group

[1] Name of Research Group:低维自旋电子学

Description of Research Group:

Low dimensional spintronic materials and devices
现代微电子技术主要利用电子的电荷特性进行运算与存储，然而基于电荷自由度的微电子器件因为量子效应的存在难以进一步微型化。面向后摩尔时代信息处理与存储的可持续发展，自旋电子学是新一代信息技术发展和产业变革的驱动力量。如果同时利用电子的自旋特性可以进一步增加对电子的调控能力，利用电子的自旋自由度进行信息的传递、处理与存储，开发新型自旋电子器件，是未来信息技术发展的关键。从微观层次探索室温范德瓦尔斯磁性材料的电磁性质、自旋输运性质和外场调控，阐明材料特性与器件特性之间的关联及模型、多场调控及输运机理。