低维界面多铁性材料为发展基于铁电-磁性集成效应的新型信息存储处理以及磁电器件提供了巨大的潜在应用前景。磁性半导体中通过铁电序和磁序的交叉耦合调控，可同时控制电子的电荷、自旋和极化等属性，实现信息处理、传输和存储功能集成在单一芯片。然而，由于铁电序和磁序的物理起源不同，现实中室温条件下完美的低维多铁半导体材料非常罕见。理论构筑低维多铁性材料及异质结和低功耗、高密度、快速读写、大容量的非易失原型器件、探索铁电/铁磁磁电耦合的各种物理机制，阐明各种序的共存、竞争和耦合作用，为在现代信息技术领域低维多铁性磁电器件的设计提供理论依据。