SiCMOSFET三相两电平变换器死区设置方法

发布时间：2020-10-30 点击次数：

• 学校署名：第一单位
• 发明设计人：张雷,张嘉航,伍小杰,石聪聪,张永磊,魏琛
• 专利类型：国内
• 专利状态：专利授权
• 申请号：201810549178.X
• 发明人数：7
• 是否职务专利：否
• 申请日期：2018-05-31
• 授权日期：2020-01-07
• 第一作者：原熙博