SiC MOSFET三相两电平变换器死区设置方法
发布时间：2021-06-25点击次数：
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发明设计人：张雷, 张嘉航, 伍小杰, 石聪聪, 张永磊, 魏琛
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专利类型：发明
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专利状态：授权专利
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申请号：CN201810549178.X
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是否职务专利：否
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申请日期：2018-05-31
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公开日期：2018-10-12
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授权日期：2020-01-07
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第一作者：原熙博
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