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SiC MOSFET三相两电平变换器死区设置方法

发布时间：2021-06-25点击次数：

  • 发明设计人：张雷, 张嘉航, 伍小杰, 石聪聪, 张永磊, 魏琛
  • 专利类型：发明
  • 专利状态：授权专利
  • 申请号：CN201810549178.X
  • 是否职务专利：否
  • 申请日期：2018-05-31
  • 公开日期：2018-10-12
  • 授权日期：2020-01-07
  • 第一作者：原熙博

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伍小杰

个人信息

  • 教授
    博士生导师
  • 教师拼音名称：wuxiaojie
  • 所在单位：电气工程学院
  • 办公地点：文昌校区教四楼202
  • 学位：博士
  • 职称：教授
  • 毕业院校：中国矿业大学

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    • 版权所有：中国矿业大学