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锥形二硅化钼发热元件
发布时间:
2020-10-30
点击次数:
发明设计人:
吴光志,沈承金,孙智
专利类型:
国际
专利状态:
专利授权
申请号:
201120450931.3
发明人数:
4
是否职务专利:
否
申请日期:
2011-11-15
授权日期:
2012-07-11
第一作者:
王晓虹
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种从废旧二硅化钼中回收钼硅杂多酸的工艺
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版权所有:中国矿业大学