中国矿业大学主页平台系统谭国俊--中文主页-- Active Gate Drive for Short-Circuit Current Suppression of SiC MOSFET in Hard Switching Fault

谭国俊Tan Guojun

教授

教授博士生导师硕士生导师

电子邮箱：

所在单位：电气工程学院

职务：电气学院教授委员会主任

学历：博士研究生毕业

在职信息：在岗

其他任职：江苏省电力传动与自动控制工程技术研究中心主任

论文成果

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Active Gate Drive for Short-Circuit Current Suppression of SiC MOSFET in Hard Switching Fault

发布时间：2025-10-14 点击次数：

DOI码：10.1007/978-981-99-3408-9_23
所属单位：电气工程学院
项目来源：省、市、自治区科技项目
第一作者：Zhang, Jingwei
合写作者：Guo, Zhikang,Jiang, Yizhan,谭国俊
论文类型：会议论文
卷号：v 1054 LNEE,p249-257
ISSN号：18761100
是否译文：否
发表时间：2023-01-01

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谭国俊Tan Guojun

同专业博导

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Active Gate Drive for Short-Circuit Current Suppression of SiC MOSFET in Hard Switching Fault