Transfer printing of fully formed microscale InGaP/GaAs/InGaNAsSb cell on Ge cell in mechanically-stacked quadruple-junction architecture
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DOI码：10.1016/j.solener.2019.11.046
所属单位：材料与物理学院
项目来源：省、市、自治区科技项目
第一作者：沈玲
合写作者：Li, Hongxi,孟现文,Li, Feng
论文类型：期刊论文
论文编号：5b5bb29476f436ce0176f472338d0324
卷号：v 195,p6-13
ISSN号：0038092X
是否译文：否
发表时间：2020-01-01