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论文成果
Influence of O2 pressure on the properties of heavily-doped 4 ZnO:Sb thin films grown by pulsed laser deposition
发布时间：
2021-09-29
点击次数：
所属单位：
材料与物理学院
项目来源：
其他课题
第一作者：
顾修全
论文类型：
期刊论文
论文编号：
paper_90519
ISSN号：
111111
是否译文：
否
发表时间：
2012-12-13
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Comments on "Room temperature photoluminescene from ZnO quantum wells grown on (0001) sapphire using buffer assisted pulsed laser deposition" [Appl. Phys. Lett.89, 161912 (2006)
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