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ZnO-In2O3纳米半导体晶体气敏材料制备方法

发布时间：2020-10-30| 点击次数：

所属单位：材料与物理学院

发明设计人：宣瑞飞,孙毅成,耿浩燃,陈辉

专利类型：国内

专利状态：专利授权

申请号：201410102645.6

发明人数：5

是否职务专利：否

申请日期：2014-03-19

授权日期：2016-03-30

第一作者：曹希传

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基于阴离子表面活性剂之特殊形貌介孔纳米粒子制备方法

版权所有：中国矿业大学  

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