SiC MOSFET三相两电平变换器死区设置方法
发布时间：2021-06-25点击次数：
-
发明设计人：张雷, 张嘉航, 伍小杰, 石聪聪, 张永磊, 魏琛
-
专利类型：发明
-
专利状态：授权专利
-
申请号：CN201810549178.X
-
是否职务专利：否
-
申请日期：2018-05-31
-
公开日期：2018-10-12
-
授权日期：2020-01-07
-
第一作者：原熙博
+
伍小杰
个人信息
- 教授
博士生导师
- 教师拼音名称：wuxiaojie
- 电子邮箱：
- 所在单位：电气工程学院
- 学位：博士
- 职称：教授
- 主要任职：电气工程学院党委书记
- 毕业院校：中国矿业大学
手机版