王晓虹

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锥形二硅化钼发热元件

  • 发布时间：2020-10-30
  • 点击次数：

  • 所属单位：材料与物理学院
  • 发明设计人：吴光志,沈承金,孙智
  • 专利类型：国际
  • 专利状态：专利授权
  • 申请号：201120450931.3
  • 发明人数：4
  • 是否职务专利：否
  • 申请日期：2011-11-15
  • 授权日期：2012-07-11
  • 第一作者：王晓虹

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